All Kategorien

silicon carbide power mosfet

Wéi mer wuel: disse Siliziumkarbid-Power-MOSFETen kannen méi Wierk mat wéinert Hitze bewältigen. Elektroneschen Geräit kannen erheblich höhere Temperaturer generéieren, wann se benotzt ginn. Dëst MOSEFETs sinn versschieden, well se gross Zeeleckschierungen bewältigen kënne, oni dat se opwärmen. Dat mackt se iwwersetzend för exige Anwendungen schéng, wéi bispwels Elektrofartouren (EV), déi hohe Wierk brauchen, fir effektiv ze fonctionieren, an an der Stelle vun erneuerbarer Energie, wéi Fotonovoltaïsche Solarpaneelen oder Windturbinen, déi den elektrochemischen Gewonn vun Wasserstoff brauchen, fir een Teil vun siere chemescher Potentieal zruck zu elektrescher Stróme ze konvertéieren. Dat ass och eng grouss Avantéig, well se bei der Betrieb mat wéinert Wierkverbrauch kommen, wass se gréier un billiger macht.

Unter den Anwendungen, in denen Siliciumcarbid-Leistungsmosfets übernommen werden, zählen unter anderem solche für Hochleistungsverstärkung wie bei elektrischen Signalen sowie Motorantriebe, die die Drehzahl- und Drehmomentsteuerung von Elektromotoren bestimmen. Ein der faszinierendsten Faktoren bei diesen Geräten ist, dass Strom und Spannung mit sehr hohen Werten versorgt werden können, ohne dass es zu einem Ausfall oder Überhitzung kommt. Eine Garantie für Betriebszeit wird insbesondere bei sicherheitskritischen und mission-kritischen Operationen für viele industrielle Anwendungen benötigt.

D'Vorteien vun Silicon Carbide Power MOSFETs fir industrielle Anwendungen erforschen

Angeseen deirer Natur sinn déi MOSFETs déi beste fir extrem effizent Arbeeten. Z.B. kënnt de se an starken Motoren fir grossmaßige Maschinerie bruachen. Dëse MOSFETs sinn eng Mëglichkeet fir Energie ze sparen a d’Fähigkeeten vun Ausrüstung fir Industrieën ze erweiten. Se ginn och am Wee op Elektroautoen bräicht fir e langere Lebensdauer, well se den Batterielebenszyklus verbesseren a en gréierr Fahrstrecke bei engem eenzeg Laded bringt. Dat ass gut fir d’Konsumenten, déi gerne lang Ufank maachen an an Orle mat wenger Lade-Stationen.

Power SiC huet en intrinsesch Vorteel duerch se säitlichen Bandgap, a Siliziumkarbid-Power-MOSFETs sinn dréi gut darbei. Dëstwuerm kënne se sich rounkapp fir ännere electrische Bedarfe bewege. Communicatioun a Kontroll: Dës Charakteristikën maachen IGBTs nützlech fir méi Hochgeschwindschaftsswitch-Applicatiounen, wéi Motorantriebe mat variabeler Geschwindigkeit, a Power-Verstärker mat Frekwenzrespons op bis zu mehrere kHz.

Why choose Xinda silicon carbide power mosfet?

Verwanget Kategorien vun Produkten

Fannt dir net, wat dir schaut?
Kontaktéiert unse Konsultanten fir méi verfuegbar Produkter.

Oferte anfragen
Email Tel WhatsApp TOP